新型存儲器摩拳擦掌
2017-09-07 15:29:03
客戶對于現(xiàn)有信息存儲產品的性能有了更高要求，研發(fā)人員迫切需要在存儲材料和技術方面取得突破。在這些需求的驅動下，相繼出現(xiàn)了一些新型非易失存儲器，如磁存儲器(MRAM)、鐵電存儲器(FRAM)、阻變存儲器(RRAM)、相變存儲器(PRAM)。雖然說這些是新型存儲器，但從某個角度看，這些存儲器已經存在有一段日子了。
(1)鐵電存儲器(FRAM)
鐵電存儲器是一種掉電后信息不丟失的非易失存儲器，具有高密度、高速、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。其核心基礎是鐵電晶體材料，采用鐵電效應作為其電荷存儲機制，同時具備隨機存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產品的特性。其結構圖如下圖所示。FRAM的工作原理是利用金屬-鐵電-半導體場效應晶體管結構，鐵電薄膜用來替代MOS管中的柵極氧化硅層，鐵電薄膜保持著兩個穩(wěn)定的極化狀態(tài)，分別表示“1”和“0”。
圖一 FRAM結構剖面圖
(2)磁性存儲器( MRAM)
MRAM是利用材料的磁場隨磁場的作用而改變的原理所制成。利用磁存儲單元磁性隧道結(MTJ)的隧穿磁電阻效應來進行存儲。
如下圖二所示，MTJ有三層，最上層為自由層，中間是隧道結，下面是固定層。自由層的磁場極化方向是可以改變的，而固定層的磁場方向固定不變。當自由層與固定層的磁場平行時，存儲單元呈現(xiàn)低阻態(tài);當磁場方向相反時，存儲單元呈現(xiàn)高阻態(tài)。MRAM通過檢測存儲單元電阻的高低，來判斷所存數(shù)據是0還是1。
圖二 MJT結構示意圖
(3)相變存儲器(PRAM)
PRAM的存儲原理是利用某些薄膜合金的結構結構相變存儲0和1的信息。通常這些合金具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)：具有低電阻的多晶狀態(tài)和具有高電阻的無定形狀態(tài)。PRAM應用硫系玻璃材料，利用硫族材料的電致相變特性，其在晶體和非晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的電阻特性。當被加熱時呈晶體狀，為1狀態(tài);當冷卻為非晶體時，為0狀態(tài)。通過改變流過該晶體的電流就可以實現(xiàn)這兩種狀態(tài)的轉換。
(4)阻變式存儲器(RRAM)
RRAM的原理是通過特定的薄膜材料的電阻值在不同電壓下呈現(xiàn)的電阻值不同來區(qū)分0和1的值。RRAM的存儲單元具有簡單的金屬/阻變存儲層/金屬(MIM)三明治結構如圖三示。
圖三RRAM器件結構圖
